课题组负责人简介：
化梦媛，南方科技大学助理教授，副研究员，博士生导师。清华大学物理学学士（2009-2013），香港科技大学电子与计算机工程学博士（2013-2017）及博士后（2017-2018）。课题组主要研究方向为宽禁带半导体（gan, ga2o3）材料与器件，包括器件工艺与制备、材料表征、器件物理分析、可靠性研究、电路集成及应用等。课题负责人在国际高水平期刊与会议上共发表85篇论文，包括器件领域顶级会议ieee int. electron devices meeting（iedm）7篇，电力电子领域顶级会议int. symp. on power semiconductor devices and ics（ispsd）11篇，国际高水平期刊ieee electron device lett. 15篇，ieee trans. electron devices 7篇，appl. phys. lett. 6篇，acs applied materials & interface 1篇，nano energy 1篇，acs journal of physical chemistry letters 1篇。于2017年获ieee ispsd最佳青年学者奖（年度唯一获奖人）。课题负责人主页http://eee.sustc.edu.cn/?view=%e ... %9b&jsid=18
本课题组现招收2023级专业硕士、学术硕士及爱协生企业联培专硕。提供具有国际竞争力的奖学金,详情请见：https://gs.sustech.edu.cn/shuoshi2020/1735。 如可早于2023年9月加入课题组，提供科研助理职位，提供有竞争力的补助待遇。
申请人需符合以下条件:
1. 国内知名高校理工背景本科学历或即将本科毕业，物理、微电子相关专业优先考虑
2. 本科GPA不低于3.2（满分4），考研分数不低于320分；（如有SCI论文发表，可不受该条件限制）
3. 对宽禁带半导体(GaN，Ga2O3)的研究有兴趣，热衷科学研究、恪守学术道德准则，为人认真负责，有独立思考能力
4. 具有优秀的学习能力，英文文献阅读能力, 英文论文写作能力
5. 具备较好的半导体物理基础、较强的动手能力；
符合以下一项或几项条件者将予以优先考虑：
(1) 熟悉Si和GaN半导体材料与器件方面的工作；
(2) 有第一性原理仿真经验；
(3) 有半导体器件制备工艺经验；
(4) 有器件物理仿真或者电学特性测试经验；
(5) 在国际期刊上发表过论文、有意在课题组攻读博士项目；
有意申请者请将统考成绩和详细简历发送至以下邮箱：huamy@sustech.edu.cn，以“调剂申请+本科院校+GPA+报考院校+考研分数”为标题；如有其他证明个人能力的证书请一并发送。联系人：化梦媛
